سامسونگ در جریان برگزاری کنفرانس حافظه‌ی فلش ۲۰۱۵ اعلام کرد که نسل سوم از حافظه‌های V-NAND/3D را از ماه جاری میلادی به تولید انبوه خواهد رساند. محصول جدید سامسونگ را باید اولین حافظه‌ی SSD این کمپانی با طراحی ۴۸ لایه خواند که از حافظه‌های NAND موسوم به TLCهای ۲۵۶ گیگابیتی در آن استفاده شده است. در حال حاضر نسل دوم حافظه‌های SSD سامسونگ با طراحی ۳۲ لایه همراه بوده و از تراشه‌های تی ال سی ۱۲۸ گیگابیتی یا ام ال سی ۱۲۸ گیگابیتی در آن استفاده شده است.
سامسونگ مدعی شده که با تولید انبوه نسل سوم از حافظه‌های خود از رقبایش نظیر توشیبا/سن‌دیسک یا اس‌کی هاینیکس که حافظه‌های ۴۸ لایه‌ی خود را در ابتدای سال ۲۰۱۶ میلادی روانه‌ی بازار خواهد کرد، جلوتر حرکت می‌کند.
براساس اطلاعات ارائه شده توسط سامسونگ تراشه‌های تی ال سی ۲۵۶ گیگابیتی جدید مورد استفاده توسط این کمپانی از نظر مصرف انرژی ۳۰ درصد بهینه‌تر از حافظه‌های مجهز به تراشه‌های TLC با ٰظرفیت ۱۲۸ گیگابایت عمل می‌کنند. در این فناوری تراکم حافظه ۴۰ درصد بهبود می‌یابد و هزینه‌ی تولید تنها کمی بیشتر می‌شود، این بدین معنا است که هزینه‌ی کلی هر گیگابایت در حافظه‌های SSD جدید سامسونگ با کاهش روبرو خواهد شد.
منبع:www.zoomit.ir
